在半導(dǎo)體制造工藝中，化學(xué)機械拋光（CMP）是實現(xiàn)晶圓全局和局部平坦化的關(guān)鍵工序。CMP拋光液與拋光墊、固定環(huán)協(xié)同工作，通過化學(xué)腐蝕和機械研磨相結(jié)合的方式，有效消除晶圓表面的不規(guī)則形貌，獲得高度平整的表面（圖1）。這種平整度對于后續(xù)集成電路的形成至關(guān)重要，而拋光液中顆粒的尺寸分布和穩(wěn)定性直接影響拋光效果。

CMP拋光液顆粒特性對拋光質(zhì)量的影響

晶片的平整度與所用拋光漿料顆粒的尺寸分布密切相關(guān)。拋光液中顆粒的尺寸和分布直接影響拋光速率和表面粗糙度，進而影響后續(xù)加工的電路質(zhì)量。特別值得注意的是，微量存在的大顆粒團聚物可能對晶片表面造成劃痕，導(dǎo)致產(chǎn)品缺陷。

拋光液漿料顆粒的表面電荷特性決定了漿料的穩(wěn)定性，即顆粒團聚的傾向性。Zeta電位作為表征顆粒表面電荷的重要參數(shù)，會顯著影響拋光過程。較高的Zeta電位絕對值（通常大于±30mV）表明顆粒間存在較強的靜電排斥力，有利于保持分散體系的穩(wěn)定性。

實驗設(shè)備與方法

本研究采用丹東百特儀器有限公司生產(chǎn)的BeNano 180 Zeta Max納米粒度及Zeta電位分析儀，配合BAT-1自動滴定儀進行測試。該儀器采用波長為671nm、功率50mW的激光器作為光源，在12°角設(shè)置檢測器進行Zeta電位測量，在173°角設(shè)置檢測器進行粒徑分析。

樣品制備與測試條件：將二氧化硅拋光液分散于水中，通過軟件內(nèi)置的SOP程序控制pH滴定過程。使用HCl水溶液調(diào)節(jié)體系pH值，終點pH設(shè)定為2，pH間隔為1，冗余度為0.2pH。測試溫度控制在25℃±0.1℃，采用毛細管電極進行測量。

結(jié)果與分析

通過檢測不同pH條件下拋光液的Zeta電位和粒徑值，得到了Zeta電位隨pH變化的曲線以及不同pH條件下的粒徑分布圖。

Zeta電位變化規(guī)律：在pH=2-10的測試范圍內(nèi)，樣品的Zeta電位均為負值，表明顆粒表面攜帶負電荷。當pH大于6時，Zeta電位絕對值在-25mV至-30mV范圍內(nèi)波動，此時粒徑穩(wěn)定在120nm附近。從多分散指數(shù)（PDI）來看，此范圍內(nèi)PDI值較低，表明樣品均勻性良好。

酸性環(huán)境下的變化：當pH低于5時，Zeta電位絕對值隨pH降低而顯著下降，在pH=2時降至-5mV。隨著Zeta電位降低，顆粒間靜電排斥力減弱，體系趨于不穩(wěn)定，粒徑逐漸增大。粒徑分布圖顯示，隨著pH降低，分布曲線明顯向大尺寸方向偏移。

表1詳細列出了不同pH條件下的粒徑、PDI和Zeta電位數(shù)據(jù)，直觀展示了參數(shù)間的相關(guān)性。

結(jié)論與意義

本研究表明，氧化硅拋光液在pH大于6的環(huán)境中能夠保持較高的Zeta電位絕對值，從而維持良好的分散穩(wěn)定性。而在低pH環(huán)境中，Zeta電位絕對值較低，顆粒容易團聚形成大顆粒，這會嚴重影響拋光效果，導(dǎo)致晶片表面產(chǎn)生缺陷。

BeNano 180 Zeta Max與BAT-1自動滴定儀的聯(lián)用系統(tǒng)能夠在一個測試序列中全面表征樣品在不同pH條件下的粒徑和Zeta電位變化，為CMP拋光液的配方優(yōu)化和質(zhì)量控制提供了可靠的技術(shù)手段。半導(dǎo)體制造商可以根據(jù)這些數(shù)據(jù)確定拋光液的最佳使用條件，確保拋光工藝的穩(wěn)定性和可靠性。

通過這種科學(xué)的表征方法，不僅能夠提高拋光質(zhì)量，還能有效降低生產(chǎn)成本，為半導(dǎo)體行業(yè)的精細化發(fā)展提供技術(shù)支持。